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PLASMA SYSTEM

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1. 플라즈마란?

기체 등 절연체(絶緣體)가 강한 전기장 하에서 절연성을 상실하고 전류가 그 속을 흐르는 현상을 방전이라 한다. 특히 절연체가 기체인 경우를 기체방전이라고 하며, 이 방전과정을 통해 생성 된 전자, 이온, 중성입자들의 혼합체를 플라즈마라 지칭한다.
아래 그림과 같이 온도를 차차 올려 줌에 따라서 물질 상태는 고체에서 액체로, 또 액체에서 ??체로 변한다. 이 기체에 계속 열을 가하여 수천도(°C)가 되면 기체분자는 원자로 해리되고 또다시 전자와 양전하를 가진 이온으로 전리된다.
이와 같이 고온에서 전자와 이온으로 분리된 기체로서 그 전리도가 남은 중성원자에 비해 상당히 높으면서도 전체적으로는 음과 양의 전하수가 거의 같아서 중성을 띠고 있는 기체를 플라즈마라 부른다.
이렇게 이루어진 전리기체 플라즈???는 흔한 중성 기체와는 그 전기적 성격으로 인하여 근본적으로 다르며 이 까닭에 플라즈마를 "제 4의 물질 상태"라고 부른다.

플라즈마의 발생은 아래의 그림과 같이 전자가 전기장으로부터 에너지를 얻는 전자가열 과정과 중성입자의 전자를 떼어내는 이온화 과정을 통해 발생하고, 자유 전자가 많으므로 좋은 도체로 볼 수 있다. 기본적으로 도체, 금속과 다른 점은 이온도 움직인다는 점이다.

플라즈마를 분류하는 것은 하전입자가 얼마나 많이 있으며, 얼마나 고에너지 상태로 존재하고 있는가가 기준이 될 것인데, 플라즈마 전체는 전기적으로 준중성 상태에 있으므로 하전 입자의 밀도를 플라즈마 밀도라 하며, 이온화의 주체가 되는 전자의 에너지를 온도로 나타내어 이들 두 변수들 값으로 플라즈마의 종류를 구분하는 것이 보통이다.
아래?? 그림과 같이 근래에 특히 많은 산업, 기술 분야에서 관심을 가지고 있는 플라즈마는 밀도와 온도값에서 중간값의 범위에 속해있는 고밀도, 저온 플라즈마들이다.

2. 플라즈마 시스템은 무엇을 사용 할 수 있습니까?

플라즈마는 물질을 결합하거나 특히, 제질의 표면 특성을 수정하는 것이 중요 분야에서 사용된다. 이 선구적인 기술을 다양한 표면을 수정할 수 있습니다. 따라서 이러한 다양한 응용 프로그램을 제공합니다.
작은 마이크로 부품의 정밀 세정
접착, 그림 그리기 등 전에 플라스틱 부품의 활성화
에칭 등 PTFE, 포토 레지스트와 같은 다양한 재료의 부분적인 제거
PTFE 유사한 층, 장벽 층, 소수성 및 친수성 층, 마찰 저감 층 등으로 코팅 성분
플라즈마 기술은 거의 모든 산업 분야에 자리 매김하고있다. 지속적으로 추가하는 새로운 응용 프로그램이 있습니다.

플라즈마 효과

3. 어떻게 플라즈마합니까?

저압 플라즈마 기법 가스는 진공에서 에너지를 공급하여 여기된다. 플라즈마를 구성하는 이온과 전자 에너지뿐만 아니라 다른 반응성 입자가 발생한다. 따라서 표면을 효과적으로 변경할 수 있습니다. 세가지의 플라즈마 효과가 있습니다 :
마이크로 샌드 : 표면이 이온 충격에 의해 제거된다.
화학 반응 : 이온화 된 가스가 표면과 화학적으로 반응한다.
UV 방사선 : UV 방사선 장쇄 탄소 화합물을 분해.
이러한 압력, 전력, 처리 시간, 가스 유량 및 조성, 플라즈마의 변화의 동작 모드와 공정 변수를 변화시킴으로써. 그래서 하나의 공정 단계에있을 수 있고, 여러 가지 효과를 얻을 수있다.
플라즈마 표면의 이형제를 (또한 실리콘 및 오일)를 제거. 이러한 화학적 Z. 나 산소의 공격과 휘발성 화합물로 변환됩니다. 진공 및 이형제 피상적 가열 또는 잔기는 부분적으로 증발시켰다. 플라즈마 중의 고 에너지 입자를 통해 이형제 분자가 작은 분자 단편으로 분해되고 의한 흡 인물 일 수있다. atomarere 레벨에 더하여, "마이크로 제트"효과. UV 방사선은 이형제를 끊을 수있다.
농산물뿐만 아니라 저장된 제품에 일반적으로 지방, 오일, 실리콘, 수분, 산화 층으로서 보이지 퇴적물이다. 코팅하기 위해서는 에러없는 이들 표면, 그들은 반드시 LABS 프리 (실험실 = 교란 에나멜 코팅) 플라즈마 세정에 의해 달성 될 수있다.

4. PlasmaBeam

상압 플라즈마 기술, 가스 플라즈마가 착화되도록 대기압하에 고전압에 의해 여기된다.플라즈마 노즐로부터 압축 공기에 의해 배출된다. 이 플라즈마 효과가 있습니다 :
활성화 및 정밀 세정 플라즈마 제트에 포함되는 반응성 입자에 의해 수행된다.
또한, 느슨한 부착 입자는 압축 공기가 활성 가스 제트를 가속하여 표면으로부터 제거된다.
처리 성능은 기판 표면으로부터 처리 속도와 거리 등 공정 변수를 변화시킴으로써 다른 방식으로 영향을받을 수있다.
대기 플라즈마 프로세서 PlasmaBeam는 주로 다른 표면 (청소, 활성화)의 지역 전처리에 사용됩니다 :
폴리머
금속
세라믹
유리
하이브리드 재료
PlasmaBeam은 로봇에 적합하며 큰 노력없이 기존의 자동화 된 생산 라인에 설치할 수 있습니다.

Plasma systems - PlasmaBeam

5. 활성화 처리 후 얼마나 지속 되는가?

부품의 수명은 활성화 시간과 재료에 의존하고 몇 분 몇 개월 사이에 변화한다. 따라서, 위치에 대한 검사를 수행하는 것이 필요하다.
금속, 세라믹, 유리 및 탄성 중합체 : 약 1 시간
플라스틱 (탄성 중합체 제외) : 일, 주, 월

6. 처리 후 어떻게 보관해야합니까?

이들이 먼지, 유기물 오염 및 습기를 끌기 같이 플라즈마 처리 후, 상기 개방 부에 저장하지 않도록 권장한다.
수축 포장 부분은 개방에 남아있는 것보다 실질적으로 더 높은 수명을 가지고있다.
표면 처리 우리가 처리 된 부분은 고객의 예와 긴밀한 협의에 포장된다 우리에게 사용할 수 있습니다 인증 실리콘 무료 PE 가방, ESD 포장 또는 사용자 정의 포?? 재료.

6. 왜 처리 된 부분은 감동하지 않겠습니까?

플라즈마 유기하지만 무기 불순물을 제거합니다. 예를 들어, 염 (무기 오염 물질) 지문의 땀에 포함되어 있으므로 구성 요소에만 장갑을 취급해야합니다.

7. 플라즈마 기술의 장점은 무엇입니까?

플라즈마 기술은 화염 처리 또는 습식 화학 처리 등의 다른 방법에 비해 중대한 장점을 나타낸다 :
대부분의 표면 특성은이 방법을 사용하여 얻을 수있다
보편적으로 적용 방법 : 온라인 생산 할 수있는 완전히 자동화 할 수 있습니다
매우 환경 친화적 인 공정
분말, 작은 부품, 기판 재료, 부직포, 섬유, 튜브, 중공 체, 회로 기판, 형상 등 구성 요소는 거의 변형이 생기지 않습니다.
부품의 열 최소화
매우 낮은 운영 비용
높은 공정 및 작업 안전

Atmospheric-pressure plasma

대기압 프라즈마는 표면의 세척, 활성화에 주로 사용되며 dry air compress 와 활성 가스 (산소, 질소, 아르곤 등) 을 이용하여 표면의 이물질제거및 활성화 장비이다.
프라즈마빔의 사용분야는 아래와 같은 목적에 사용한다.

Gluing / Bonding / Printing / Soldering / Welding / Coating

프라즈마 처리 재질은 다음과 같은 종류에 해당된다.

plastic, elastomers, metal, glass, ceramics and hybrid materials.

프라즈마 노즐에서의 활성가스빔은 항상 HV-potential 에서 자유롭다.
이 기기는 전자회사등에서 아주 유용하게 사용할수가 있다.

? 와이어본딩 전처리로 본딩면의 크리닝 목적;

열 실링본딩 전처리로 LCD- contacts 의 크리닝, 활성화 과정;

페인팅 전처리로 전자부품의 활성화 과정
프라즈마빔의 표면처리는 연속해서 사용이 가능하고 처리속도( V ) 와 프라즈마 노즐과 처리 표면 ( D ) 의 거리는 처리하고져 하는 표면의 처리정도에 매우 중요한 요소가 된다.
이것에 변화를 줌으로 인해서 처리 결과는 많이 달라질수 있다.

PlasmaBeam

1. 콘트롤부:
(데스크탑)
W 562 mm, H 211 mm, D 420 mm
무게: 대략 . 20 kg
(19" 랙마운트)
W 420 mm, H 140 mm, D 580 mm
무게: approx. 20 kg

2. 프라즈마 어플리케이터:
크기 : Ø 32 mm, L 270 mm
무게: approx. 0,6 kg
케이블 길이: 3 m
(길이 연장도 가능, 협의바랍니다.)
프라즈마처리 넓이: max. 12 mm

3. 제너레이터:
주파수 : 20 kHz
파워 : approx. 300 W

4. 연결:
프라즈마 처리 및 쿨링 가스:
Dry, 오일프리 콤프레셔 에어
공기 압력: 5,5?8 bar
가스 주입: approx. 2 m3/h
전 원: 230 V/6 A / 50-60 Hz

5. 작동 모드:
수동 조작:
판넬 앞면의 버튼으로 조작, ON/OFF.
반 자동:
판넬 뒷면의 SUB-D 25-핀으로 리모트 조작방식.
PLASMABEAM: This Plasma System can be user with robots and installed in existing fully automated manufacturing lines.
PLASMABEAM: 19" rack mount cabinet
PlasmaBeam DUO

1. 콘트롤부
(테이블 케비넷타입)
W 562 mm, H 211 mm, D 420 mm
무게: approx. 20 kg


2. 프라즈마 어플리케이터 (2 pc.):
Max. Ø 32 mm, L 210 mm
무 게: 약. 0,5 kg
케이블 길이: 3 m (케이블 길이 연장가능, 상담요)
프라즈마 처리 넓이 :
최대. 10 mm/nozzle

3. 제너레이터:
주파수: 20 kHz
파워: 300 W/nozzle

4. 연결부:
처??시 쿨링 가스:
드라이, 오일프리 콤프레셔 에어
압 력: 5-8 bar
가스 소비량: approx. 4 m3/h
전원:
230 V/50/60 Hz

5. 작동 및 조절:
수동 조절(Manual 콘트롤부):
프라즈마장치 전면부의 버튼방식.
반 자동 방식(Semi-automatic 콘트롤부):
뒷면의 리모트 연결.
PLASMABEAM DUO: The Plasma processor is fit for robots use and installed in existing automated assembly lines.
PLASMABEAM DUO: Double nozzle system
LOW COST PLASMA LABORATORY SYSTEM ZEPTO

개폐형 케비넷 방식:
W 425 mm, H 185 mm, D 450 mm

챔버:
glass, Ø 105 mm, L 300 mm

챔버 용량:
approx. 2,6 litres

가스 연결부:
2 가스 연결 니들벨브

제너레이터:
40kHz/100W or 13.56 MHz/50W 고정형

진공 펌프:
진공 세기: 2 m³/h

트레이:
1 pc. 트레이

콘트롤:
매뉴얼 방식, 아나로그 타이머 장착
PC 콘트롤 방식
ZEPTO: Example variant A
B 269 mm, H 176 mm, T 300 mm
ZEPTO: Example variant B
B 425 mm, H 185 mm, D 450 mm
ZEPTO: Example variant C
B 425 mm, H 185 mm, D 450 mm
LOW COST PLASMA LABORATORY SYSTEM ATTO

개폐형 케비넷 방식:
W 425 mm, H 275 mm, D 450 mm

챔버:
glass, Ø 211 mm, L 300 mm

챔버 용량:
approx. 10,5 litres

가스 연결부:
2 가스 연결 니들벨브

제너레이터:
40kHz/100W or 13.56 MHz/50W 고정형

진공 펌프:
진공 세기: 2 m³/h

트레이:
1 pc. 트레이

콘트롤:
매뉴얼 방식, 아나로그 타이머 장착
PC 콘트롤 방식
ATTO: Example variant A
B 425 mm, H 275 mm, D 450 mm
ATTO PCCE: Example variant B
B 525 mm, H 275 mm, D 450 mm
ATTO PC: Example variant C
B 525 mm, H 275 mm, D 450 mm
PLASMA LABORATORY SYSTEM FEMTO 타이머방식(version 1)

개폐형 케비넷:
W 345 mm, H 220 mm, D 420 mm
챔버 크기:
Ø 100 mm, L 270 mm
챔버용량:
approx. 2 litre
가스 연결부:
1 가스 연결 니들벨브
제너레이터:
40kHz/100 W, infinitely variable
진공펌프:
Leybold, Type S1.5 (1.5m³/h)
트레이:
1 pc. 트레이
콘트롤:
반 자동 콘트롤, 타이머조절
FEMTO: 타이머방식(version 1)
B 345 mm, H 220 mm, T 420 mm
PLASMA LABORATORY SYSTEM FEMTO PCCE (version 2)

개폐형 케비넷방식:
W 562 mm, H 211 mm, D 420 mm
챔버크기:
Ø 100 mm, L 280 mm
챔버 용량:
ca. 2,8 litre
가스연결부:
2 pcs. gas channel through MFC
제너레이터:
40kHz/100W, infinitely
진공펌프:
Leybold, Typ S1,5 (1,5m³/h)
트레이:
1 pc. 트레이
콘트롤부:
PC 콘트롤부
FEMTO: PCCE (version 2)
B 562 mm, H 211 mm, T 420 mm
PLASMA LABORATORY SYSTEM FEMTO (version 3)

개폐형 케비넷방식 :
W 345 mm, H 220 mm, D 420 mm
챔버크기:
Ø 100 mm, L 270 mm
챔버 용량:
ca. 2 litre
가스연결부:
1 가스연결부 through needle valve
제너레이터:
13,56 MHz/50W, infinitely
진공펌프:
Leybold, Typ S1,5 (1,5m³/h)
트레이:
1 pc. 트레이
콘트롤부:
manual, process time by timer
FEMTO: (version 3)
B 345 mm, H 220 mm, T 420 mm
PLASMA LABORATORY SYSTEM FEMTO (version 4)

개폐형 케비넷방식:
W 560 mm, H 310 mm, D 600 mm
챔버크기:
W 100 mm, H 100 mm, D 280 mm
챔버용량:
approx. 2 litre
가스연결부:
one gas channel through needle valve
제너레이터:
40kHz/100 W, infinitely variable
진공펌프:
Leybold, Type S1.5 (1.5m³/h)
트레이:
1 pc. 트레이
콘트롤부:
semi-automatic 콘트롤부, process time by timer
FEMTO: (version 4)
B 560 mm, H 310 mm, T 600 mm